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Τι (ποιος) είναι transistor de efecto campo - ορισμός
Transistor de efecto campo
El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S).
Transistor de ADN de efecto de campo
Un transistor de ADN de efecto de campo (o DNAFET, de DNA field-effect transistor) es un transistor de efecto de campo (FET) que utiliza el efecto de campo generado por las cargas parciales de las moléculas de ADN para actuar como un biosensor. La estructura de los DNAFET es similar a la de los MOSFET, con la excepción de la estructura de la puerta que, en los DNAFET, es reemplazada por una capa de moléculas de cadenas sencillas de ADN que actúan como receptores de superficie.
Transistor de unión bipolar
![Replica del primer transistor de punto de contacto, hoy en un museo de la actual [[Lucent Technologies]]](https://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Replica-of-first-transistor.jpg?width=200 "Replica del primer transistor de punto de contacto, hoy en un museo de la actual [[Lucent Technologies]]")
TRAN. DE UNION BIPOLAR BJT
Transistor de Juntura Bipolar; TBJ; Transistor de juntura bipolar; Transistor bipolar; BJT; Transistor de union bipolar; Transistor NPN; Transistor PNP; Transistor NPN bipolar; Transistor BJT
thumb|Diagrama de Transistor NPN|296x296px
